有機ELディスプレイ、有機EL照明、有機薄膜太陽電池、バリアフィルム、液晶、半導体、MEMS、二次電池、燃料電池、電極
株式会社セルバック
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セルバックの高密度プラズマCVD装置
弊社は独自の技術を用いたICP-CVD装置を保有し、370＊470の基板サイズにまで低温（80度以下）で窒化膜を有償にて成膜し、提供させていただけます。基板はガラス、プラスチック、ウエハーをご利用いただけます。その他、ICP-CVD、スパッタ、エッチング装置などの製造販売も行っております。
セルバックのプラズマCVDは、低温で高品質（高密度/高耐久性）の成膜が可能です。
半導体、液晶、有機EL用の絶縁膜、パシベーションに使用出来ます。
また、樹脂基板製品の、透明バリアフィルム・ハードコート加工も出来ます。
株式会社セルバック製造技術のポイント
※より詳しい情報につきましては弊社Webサイトをご覧ください。
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製造装置
CP-CVD装置 - バッチ式
セルバック独自の誘導結合（ICP)方式プラズマにより高密度プラズマをたてることが可能のため、低温（室温）にてパシベーション、アモルファスシリコン、250℃前後で低温ポリシリコンが可能です。
【仕様】
- 基板：400×500ｍｍ
- 温度範囲：常温（40℃以下）
- 加熱：～400℃
- 圧力：0.05Pa～50Pa
- 出力：500～4500ｗ
- 機構：ロードロック、クラスター、ロールtoロール（ウェブ、巻取り）対応可能
- チャンバークリーニング：セルフクリーニング
【膜種別用途】
➡SiN、SiON、SiO2
用途：ガスバリア膜、保護膜、反射防止膜
➡a-Si、Poly-Si
用途：ナノインプリント、SiCウエハ平滑面
【基板】
フィルム基板（PET、PES、PEN、COP、ポリカーボネート）、シリコンウエハ、ガラス基板、サファイア基板、カーボン基板
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ICP-CVD装置 - ロールtoロール
業界で初めてICP-CVDのロールtoロール（ウェブ、巻取り）装置の開発に成功しました。
【ICP-CVDロールtoロールの特長】
- 低温成膜が可能
- 大型化が容易
- クリーニングが容易でメンテナンス性に優れている
- ロールフィルムの搬送が容易
【PVD（蒸着、スパッタ）との違い】
- 膜の密着性がいい
- 応力調整が可能
- 光透過率に優れている
【用途】
- 有機ディスプレイ、照明
- 電子ペーパー
- 反射防止フィルム
- 陽電池（有機、シリコン）
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ICP-CVD装置 - (TEOS)液体
セルバック独自の誘導結合（ICP)方式プラズマCVDは、液体ソース（TEOS他）も使用出来ます。
同一システムで、液体ソース（例：TEOS）と高圧ガス（例：SiH4）のどちらも対応することが可能です。
【仕様】
- 基板：400×500ｍｍ
- 温度範囲：常温（40℃以下）
- 加熱：～350℃
- 圧力：0.05Pa～50Pa
- 出力：500～4500ｗ
- チャンバークリーニング：セルフクリーニング
【膜種】
- TEOS：SiON
- HMDSO：SiO2、SiON
【基板】
樹脂（フィルム、シート）、シリコン、ガラス、
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業界初 大型ロールTOロール CVD装置
樹脂・金属ロールフィルムを連続成膜（PET・COP・ポリイミド・Cu・SUS・etc.）
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低温プラズマ CVD装置 バッチタイプ
無加熱成膜、基板低ダメージ、高密度、ストレス調整
液体材料：TEOS・HMDSO
高圧ガス：SiH4
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高機能フィルム
水蒸気バリア
ハードコート
撥水 / 親水
耐候性
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材質・形状
【材質】
樹脂、ガラス、セラミック、シリコン、金属
【形状】
立体、湾曲、粒状、ベルト、ロール etc.
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カバレッジ・ 埋め込み
低温（無加熱）でカバレッジ、埋め込み
（SiO2、SiON、SiN、SiOC、a-Si、DLC、SiC etc.）
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受託加工例
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品名：透明ガスバリア 成膜加工 膜種：SiOxNy 膜厚：～1μｍ 基材：各種フィルム 装置：ロールtoロール（ウェブ・巻取り） or バッチ 特徴：～10-6ｇの特性可能 備考：50℃以下 |
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品名：絶縁膜 成膜加工 膜種：SiO2 膜厚：～10μｍ 基材：フィルム、ガラス、シリコン、金属 装置：ロールtoロール（ウェブ、巻取り） or バッチ 特徴：カバレッジ性・高絶縁性 備考：50℃以下 |
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品名：電子ビーム蒸着 成膜加工 膜種：TiO2、ITO、Cu、Ni、Ni-CL、 etc. 膜厚：0.05μｍ～3μｍ 基材：ロールフィルム（幅600mm） シート（300角） 装置：ロールtoロール（ウェブ、巻取り） or バッチ |
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品名：反射防止膜 成膜加工 膜種：SiO2～SiN 膜厚：～1μｍ 基材：フィルム、ガラス、シリコン、金属 装置：ロールtoロール（ウェブ、巻取り） or バッチ 特徴：低温処理が可能 備考：50℃以下 |
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会社概要
社名 |
株式会社セルバック |
代表者 |
代表取締役松原 和夫 （本名：和田 和夫） |
開発センター |
〒601-8188 京都府京都市南区上鳥羽南中ノ坪町19 TEL：075-661-2710 FAX：075-661-2539 |
本社 |
〒601-1316 京都府京都市伏見区醍醐古道町17-2 |
資本金 |
2000万円 |
設立 |
1989年4月 |
事業内容 |
半導体製造装置に関する、製造及び営業販売 |
主要取引先 |
敬称略
他 |
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ICPCVD解説
ICPCVD（誘導結合型プラズマCVD)概要
ICP-CVDの特長
ガス分解
➡ ICPの高密度プラズマで高効率にガスを分解し、低温で処理
基盤加熱
➡ 加熱なし
加熱あり（オプション追加可能）
膜質
➡ 高密度（ガラス並みの高度）
高耐久性（高温湿でも安定）
屈折率、応力も任意調整可能
カバレッジ性
➡ 条件調整でカバレッジ性も良好
クリーニング（チャンバー内）
➡ プラズマクリーニングによるセルフ方式
対象基板
➡ Siウエハ、ガラス、セラミック、有機デバイス、プラスチック、フィルム
※より詳しい情報につきましては弊社Webサイトをご覧ください。
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アクセス
開発センター
京都府京都市南区上鳥羽南中ノ坪町19
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